Name: Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS192PL6327HTSA1
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1

Artikelnummer:

BSS192PL6327HTSA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSS192PL6327HTSA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 130µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-SOT89
Serie	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 190mA, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-243AA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	190mA (Ta)
BSS192PL6327HTSA1 Einzelheiten PDF [English]	BSS192PL6327HTSA1 PDF - EN.pdf

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